H8TBR00U0MLR-0DM 时间：2025/9/2 3:04:37 阅读：10

H8TBR00U0MLR-0DM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分。该芯片广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、图形处理和高端服务器等对内存性能要求极高的领域。该型号采用先进的堆叠封装技术，支持高容量和高速数据传输，具有优异的稳定性和可靠性。

参数

类型：DRAM
　　制造商：SK Hynix
　　型号：H8TBR00U0MLR-0DM
　　容量：8GB
　　内存类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
　　数据速率：2.4 Gbps
　　电压：1.3V
　　封装类型：堆叠封装（Stacked Package）
　　接口：HBM2接口
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　封装尺寸：根据HBM2标准设计
　　带宽：约307GB/s（基于HBM2规格）

特性

H8TBR00U0MLR-0DM 是HBM2（High Bandwidth Memory 2）技术的代表性产品之一，其最大特点在于高带宽和低功耗设计。该芯片采用了3D堆叠封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠，并通过TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术实现内部高速互联，从而大幅提升数据传输效率。
　　该芯片支持高达2.4 Gbps的数据传输速率，使得其整体带宽可达约307GB/s，远超传统GDDR5或DDR4内存。这种高带宽特性使其非常适合用于GPU、AI加速器、FPGA和高端计算系统中，满足大数据处理和复杂算法运算的需求。
　　此外，H8TBR00U0MLR-0DM 的工作电压为1.3V，相较于早期的HBM版本，功耗有所降低，提升了能效比。其工作温度范围为0°C至85°C，适应多种复杂的工作环境，具备良好的稳定性和可靠性。
　　由于采用了堆叠封装技术，该芯片在PCB板上的占用空间更小，有助于提高系统集成度。同时，其HBM2接口设计使得与主控芯片的连接更加高效，减少了信号延迟，提高了整体系统性能。

应用

H8TBR00U0MLR-0DM 主要用于需要高带宽和高容量内存的高性能计算系统，如人工智能加速卡、图形处理器（GPU）、FPGA开发板、高性能服务器和数据中心存储解决方案。在AI训练和推理、深度学习、科学计算、图形渲染等领域，该芯片能够显著提升系统性能和数据处理能力。此外，该芯片也适用于高端游戏显卡和计算密集型嵌入式系统。