型号：ON5267-G
　　制造商：Onsemi（安森美）
　　封装类型：SOP-8
　　工作输入电压范围：8V 至 60V
　　最大占空比：95%
　　开关频率范围：100kHz 至 500kHz（可调）
　　控制模式：峰值电流模式控制
　　参考电压精度：±1%（典型值）
　　启动电流：低于1mA（典型值）
　　静态工作电流：5.5mA（典型值）
　　关断电流：小于10μA
　　栅极驱动电压：10.5V（典型值）
　　驱动能力：图腾柱输出，可驱动N沟道MOSFET
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C（结温）
　　保护功能：过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、热关断保护

ON5267-G的核心特性之一是其宽输入电压范围，可在8V至60V之间稳定工作，使其适用于多种直流输入环境，如工业总线电压（24V）、电信系统（48V）以及电池供电系统等。这一宽压特性极大地增强了其在复杂电源架构中的适应能力，尤其适合用于输入电压波动较大的场合。
　　该芯片采用峰值电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的环路稳定性。通过采样电感电流信号进行实时调节，系统能够在负载突变时迅速调整占空比，维持输出电压恒定。此控制方式还便于实现逐周期电流限制，提升了系统的安全性和可靠性。
　　ON5267-G集成了高性能的误差放大器和精密基准电压源（通常为2.5V），确保反馈回路具有高精度和低噪声特性。用户可通过外部电阻分压网络设定输出电压，支持从几伏到接近输入电压的宽范围输出调节。同时，芯片支持外部同步功能，允许与系统时钟或其他电源控制器同步工作，减少电磁干扰（EMI）并优化多相电源设计。
　　为了提高效率，ON5267-G配备了强大的图腾柱栅极驱动器，能够高效驱动外部高侧和低侧N沟道MOSFET，实现同步整流，显著降低导通损耗。驱动电压固定在约10.5V，确保MOSFET充分导通，同时避免栅源电压超标风险。
　　芯片内置完善的保护机制。例如，打嗝模式的过流保护可在短路或过载情况下限制功率耗散；可编程软启动功能防止启动时产生过大冲击电流；VCC欠压锁定（UVLO）确保芯片仅在供电稳定后才开始工作，避免误操作。这些特性共同保障了电源系统在各种异常工况下的鲁棒性。

ON5267-G主要应用于需要高效率、宽输入电压范围的DC-DC降压电源系统。典型应用包括工业自动化控制系统中的板载电源模块，这类系统常采用24V或48V直流总线供电，要求电源具备高可靠性和抗干扰能力，而ON5267-G恰好满足这些需求。在通信基础设施领域，如基站设备、光网络单元（ONU）和路由器中，该芯片可用于构建中间母线转换器（Intermediate Bus Converter），将较高的输入电压降至适合下游负载点（POL）转换器使用的中间电压级别。
　　在服务器和数据中心电源系统中，ON5267-G可用于辅助电源轨的设计，例如为管理电路、风扇控制器或监控模块提供稳定的5V或3.3V电源。由于其具备良好的动态响应能力和低静态功耗，即使在轻载条件下也能保持较高效率，符合绿色节能标准。
　　此外，该芯片也适用于车载电子系统，尤其是商用车辆或特种车辆中使用的24V/36V/48V供电平台。在此类环境中，电源需承受较大的电压波动和温度变化，ON5267-G的宽温范围和多重保护机制使其具备较强的环境适应性。
　　在分布式电源架构中，多个ON5267-G可并联使用或与其他控制器配合构成多相交错式拓扑，以实现更大输出电流和更低输出纹波。这种设计常见于高性能计算设备或FPGA供电方案中。总之，ON5267-G凭借其灵活性、高集成度和强健的保护功能，在各类中高功率非隔离式降压变换器设计中发挥着关键作用。

NCP1252BDR2G
　　NCP1342HSNT3G
　　LM5116PWPGQRG4