您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SRM10L60SFCT

SRM10L60SFCT 发布时间 时间:2025/7/4 6:38:09 查看 阅读:9

SRM10L60SFCT 是一款基于 SiC(碳化硅)技术的 MOSFET 芯片,专为高频、高效能应用设计。该芯片具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、逆变器、DC-DC 转换器以及电动汽车等高功率密度场景。
  该型号采用了 TO-247 封装形式,能够有效提升散热性能,同时支持较高的工作电压和电流,是现代电力电子系统中的理想选择。

参数

额定电压:650V
  额定电流:10A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:80nC
  反向恢复时间:50ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SRM10L60SFCT 的主要特性包括:
  1. 使用碳化硅材料,具有更高的耐压能力和更低的能量损耗。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速的开关速度和较小的栅极电荷,适合高频操作环境。
  4. 内置反并联二极管,提供高效的反向恢复性能。
  5. 高温稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

SRM10L60SFCT 适用于以下应用场景:
  1. 工业级 DC-DC 转换器及电源模块。
  2. 太阳能逆变器与储能系统的功率转换。
  3. 电动汽车驱动电机控制器。
  4. 不间断电源(UPS)系统。
  5. 高频软开关电路设计。
  6. 其他需要高效功率处理能力的设备或模块。

替代型号

CMF10HS65D,
  STP10NM65C3,
  C2M010H120D

SRM10L60SFCT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价