类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.9A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：23.6A
　　导通电阻Rds(on)：17mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻Rds(on)：22mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：400pF（@Vds=15V）
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

ON4184的高性能源于其采用的先进TrenchFET工艺技术，这种结构通过优化沟道设计显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗。在实际应用中，特别是在电池供电设备或对能效要求较高的系统中，低Rds(on)意味着更少的能量以热量形式耗散，有助于提升系统续航能力和热管理效率。该器件在Vgs=10V时Rds(on)仅为17mΩ，在Vgs=4.5V时也仅达到22mΩ，表明其即使在较低驱动电压下仍能保持良好的导通性能，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。
　　另一个关键特性是其低栅极电荷（Qg），典型值为10nC，这使得ON4184在高频开关操作中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的电荷量更少，从而降低了驱动损耗，并允许更高的开关频率运行，有助于减小外围电感和电容的尺寸，进而实现更紧凑的电源设计。此外，其输入电容Ciss约为400pF，在同类产品中处于较低水平，进一步减少了开关过程中的动态损耗。
　　ON4184还具备良好的热稳定性与可靠性，其最大工作结温可达+150°C，并支持瞬态过载工况。器件内部结构经过优化，具有较强的抗雪崩能力，能够在意外电压尖峰或电感反冲条件下保持安全运行。同时，SOT-23封装虽然体积小巧，但通过合理的PCB布局（如增加铜箔面积）可有效改善散热性能，满足中等功率应用的需求。总体而言，ON4184凭借其低导通电阻、低驱动需求、高开关速度和高可靠性，成为众多中小功率开关应用的理想选择。

ON4184广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源等，它常用于负载开关、电池管理电路以及DC-DC升压或降压转换器中，负责控制电源路径或作为同步整流开关，以提高转换效率并延长电池寿命。在LED驱动电路中，ON4184可用于恒流调节或PWM调光控制，利用其快速开关特性实现精确亮度调节。
　　在工业控制领域，该器件适用于传感器电源管理、继电器驱动、电机驱动模块（尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动）以及PLC输入输出模块中的开关单元。其稳定的电气特性和宽温度范围使其能在恶劣工业环境中可靠运行。此外，在通信设备中，如路由器、交换机和光模块电源管理单元中，ON4184可用于多路电压域切换或辅助电源的同步整流，帮助降低系统功耗。
　　在计算机外设方面，打印机、扫描仪和硬盘驱动器等设备中的电源控制电路也常采用此类MOSFET进行局部供电的启停控制。由于其SOT-23封装尺寸小、重量轻，非常适合高密度贴片组装工艺，有利于自动化生产和成本控制。同时，ON4184也可用于过流保护电路、热插拔控制器以及ORing二极管替代方案中，利用其低正向压降优势减少发热，提升系统效率。总之，凡是需要低电压、中等电流、高频开关操作的场合，ON4184均能发挥出色性能。

AO4184, SI4184, FDS4184, DMG4184