OFAF4H400 时间：2025/12/28 21:38:46 阅读：8

OFAF4H400 是一款由 On Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管专为高功率和高效率应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等多种应用场景。OFAF4H400 采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，同时支持较高的开关频率，适合用于高频开关电源系统。该器件采用 TO-263（D2PAK）封装形式，便于散热并适应自动化装配流程。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：110A
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.75mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

OFAF4H400 具备多项性能优势，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 4.75mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达 110A 的连续漏极电流，能够承受较高的负载，适合大功率应用。OFAF4H400 的热阻较低，结合其 TO-263 封装设计，使得器件在高功率运行时仍能保持良好的散热性能，确保稳定性和可靠性。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间工作，兼容多种驱动电路设计。其快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。OFAF4H400 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在恶劣工作条件下提供更高的系统稳定性。该器件符合 RoHS 环保标准，适合用于工业、汽车电子等对环保要求较高的领域。

应用

OFAF4H400 广泛应用于各种高功率和高效能电子系统中。其主要用途包括但不限于：电源管理系统中的同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、热插拔电源控制以及汽车电子中的功率控制模块。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，该 MOSFET 在高效率电源设计中尤为受欢迎，例如服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器和电动车充电系统等。此外，OFAF4H400 的高可靠性也使其成为工业自动化和自动化控制系统中的理想选择。