时间：2025/8/28 13:23:30
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SKD8 是一款常用的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于各种开关电源、电机驱动、LED驱动以及工业控制等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：100A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220
SKD8 MOSFET 具有出色的电气性能和热管理能力，适用于高电流和高功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，确保在高温和高负载条件下依然保持稳定的性能。此外，SKD8具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，使其在恶劣的工作环境下依然可靠运行。
该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，如DC-DC转换器、同步整流器和电源管理模块。其高耐压特性和优异的热稳定性也使其成为电机驱动和工业自动化设备的理想选择。
封装方面，SKD8 提供 TO-263（D2PAK）和 TO-220 两种常见封装形式，便于在不同电路设计中使用，并具有良好的散热性能。这些特性使得 SKD8 在功率电子领域中成为一款性能稳定、性价比高的主流器件。
SKD8 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
2. 电机驱动与控制电路
3. 高功率LED驱动电源
4. 电池管理系统（BMS）
5. 逆变器和DC-AC转换器
6. 工业自动化与控制系统
7. 电动车、无人机等电力驱动系统
8. 服务器和通信设备的电源模块
IRF1405, STP100N6F6, IPW90R024C6
