波长: 850nm
　　工作电压: 1.3V @ 1A
　　工作电流: 最大1A
　　输出功率: 1.5W
　　封装类型: 表面贴装（SMD）
　　发射角度: ±50°
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C
　　存储温度范围: -40°C 至 +100°C
　　热阻: 12K/W
　　尺寸: 3.2mm x 3.2mm x 1.2mm

OFAA00H40 红外LED采用了先进的GaAs（砷化镓）半导体技术，确保了高输出功率和稳定的红外发射性能。该器件在850nm波长下具有优异的光电转换效率，能够提供明亮且均匀的红外光，适用于多种红外成像和照明场景。其表面贴装（SMD）封装形式不仅节省空间，还提高了装配效率和散热性能，特别适合高密度PCB设计。
　　此外，OFAA00H40 的发射角度为±50°，可提供较宽的光束覆盖范围，确保在不同角度下都能获得良好的红外照明效果。该器件的额定工作电流为1A，输出功率高达1.5W，具备良好的热管理能力，能够在较高温度环境下稳定运行。其热阻为12K/W，有效降低了工作时的温度上升，提高了器件的可靠性和使用寿命。

OFAA00H40 红外LED主要应用于需要高性能红外光源的场景，包括但不限于：安全监控系统、红外夜视摄像头、无人机红外照明、智能门禁系统、生物识别设备（如虹膜识别）、红外遥控器、工业检测设备、自动识别系统等。其高输出功率和宽发射角度使其在低光或无光环境下依然能够提供出色的红外照明效果，适用于多种光学传感和图像采集系统。

OFAA00H40 的替代型号包括 OSRAM SFH 4725S、OSRAM SFH 4253、Everlight SE-3030WA/850-1A、Kingbright L-850P-1A 等。这些型号在波长、输出功率、封装形式等方面与 OFAA00H40 相似，可根据具体应用场景和设计需求进行选型替换。