类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：25A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为80mΩ
　　栅极电荷（Qg）：约50nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：DIP-27
　　安装方式：通孔安装

OD8025-12HHB模块具有多个优良的电气和热性能特性。其高耐压（1200V）和大电流能力（25A）使其适用于高压和高功率的应用场景。模块内部采用了两个独立的MOSFET结构，支持并联或桥式电路设计，提升了系统的灵活性。该模块的导通电阻较低，典型值为80mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　OD8025-12HHB还具备良好的抗短路能力和快速开关特性，能够在高频开关环境中保持稳定工作。其栅极电荷较低（约50nC），有助于减少驱动损耗，提高开关速度。模块的工作温度范围广泛（-55°C ~ +175°C），适应性强，适用于严苛的工业和汽车应用环境。

OD8025-12HHB广泛应用于各种高功率和高频率的电力电子设备中。常见应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、变频器、电焊机以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。该模块的高耐压和低导通电阻特性，使其在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。此外，由于其良好的热管理和高频响应能力，OD8025-12HHB也适用于需要快速开关的电源转换系统。

FGA25N120ANTD, SKM25GB120D