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IX0720GE 发布时间 时间:2025/8/28 11:41:26 查看 阅读:9

IX0720GE是一款由日本公司IXYS(现属于Littelfuse)生产的高压、高速MOSFET驱动器集成电路,广泛用于电源转换、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等应用中。该芯片专为驱动N沟道MOSFET和IGBT而设计,具有高驱动能力和良好的抗干扰性能。IX0720GE采用双电源供电结构,能够提供较高的栅极驱动电压,从而加快开关速度并降低开关损耗。

参数

工作电压范围:10V ~ 20V(VCC)
  输出驱动电流:+1.6A / -2.0A
  输入信号电压范围:0V ~ VCC
  输入阈值电压:1.5V ~ 2.5V(典型值为2.0V)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:14引脚 SOIC
  传播延迟时间:典型值为80ns
  上升/下降时间:典型值分别为20ns和15ns

特性

IX0720GE具备高速驱动能力,适用于高频开关应用,能够显著降低开关损耗。其高拉电流和灌电流输出能力可确保MOSFET快速导通和关断,从而提高系统效率。
  该芯片采用双电源供电方式,能够为高端和低端MOSFET提供独立的驱动电压,增强系统的稳定性和可靠性。
  内部集成欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止MOSFET在非理想条件下工作。
  IX0720GE还具备较强的抗干扰能力,能够有效抑制因高频开关引起的噪声干扰,提升系统稳定性。
  此外,其封装形式为14引脚SOIC,适合表面贴装工艺,便于在紧凑的PCB布局中使用。

应用

IX0720GE主要用于各类功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化控制设备。
  在半桥或全桥拓扑结构中,IX0720GE常用于驱动上桥臂和下桥臂的N沟道MOSFET,提供高效的驱动能力。
  由于其具备高抗噪能力和稳定的工作特性,该芯片也适用于电磁干扰(EMI)较为敏感的环境。
  此外,IX0720GE还广泛应用于新能源领域,如太阳能逆变器、电动汽车充电模块和储能系统中的功率转换电路。

替代型号

IR2104、HIP4080、LM5106、TC4420

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