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NZH8V2B,115 发布时间 时间:2025/9/14 18:38:49 查看 阅读:11

NZH8V2B,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)制造的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管专为高频应用而设计,适用于无线通信、射频放大、开关电路等场景。该器件采用 SOT23 封装,具有小尺寸、高性能和高可靠性,适合用于现代电子设备中。该晶体管工作温度范围广泛,可在工业级温度范围内稳定运行,因此被广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制系统中。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流 (Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压 (Vce):80 V
  最大集电极-基极电压 (Vcb):80 V
  最大功耗 (Ptot):300 mW
  增益带宽积 (fT):100 MHz
  电流增益 (hFE):110 至 800(根据档位不同)
  封装类型:SOT23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

NZH8V2B,115 是一款通用型高频 NPN 双极性晶体管,其主要特点包括高增益带宽积、低噪声系数和良好的线性度。该晶体管支持高达 100 MHz 的频率操作,适合用于射频放大器和低噪声前置放大器。其电流增益 hFE 在不同档位下可提供从 110 到 800 的广泛范围,确保在不同应用场景中都能获得良好的放大性能。
  该晶体管的 SOT23 小型封装不仅节省空间,而且便于自动化生产和表面贴装。其热阻较低,有助于在高电流工作状态下保持良好的散热性能,从而提高整体可靠性。此外,该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,能够适应严苛的环境条件,适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
  NZH8V2B,115 还具有良好的开关特性,适合用于数字开关电路和逻辑控制电路。其快速响应时间和低饱和压降使其在高速开关应用中表现出色,有助于降低功耗并提高系统效率。

应用

NZH8V2B,115 常用于射频放大器、无线通信模块、低噪声前置放大器、音频放大器、数字开关电路、逻辑控制电路以及工业自动化系统中的信号处理电路。此外,该晶体管也广泛应用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等中的模拟和射频电路部分。在汽车电子中,该器件可用于车载通信系统、传感器接口电路以及车载娱乐系统的信号处理模块。

替代型号

BC847, BC817, 2N3904, PN2222, MMBT3904

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NZH8V2B,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)8.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 5V
  • 容差*
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C