时间：2025/8/2 5:42:54
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NTTFS004N04CTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）设计的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于各种功率转换和管理应用中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适合用于高频率开关应用。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，确保了在高温下的稳定性和可靠性。其封装形式为 5-PowerPAK，便于散热和安装。
类型：N 沟道
漏源电压 (Vds)：40V
栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：140A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻 (Rds(on))：最大 0.95mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散：130W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NTTFS004N04CTAG 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流处理能力使其适用于高功率密度设计。该器件的热阻较低，使得在高负载情况下仍能保持良好的散热性能。此外，NTTFS004N04CTAG 的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。其封装形式 PowerPAK 5 提供了良好的机械稳定性和热管理，适合在高可靠性要求的环境中使用。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在突发电压情况下的耐用性。
NTTFS004N04CTAG 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统以及汽车电子系统等应用。其高效率和高电流能力使其成为服务器电源、电信设备和工业自动化设备的理想选择。此外，该器件也适用于需要高功率密度和高可靠性的应用，如电动工具和电动汽车的功率模块。
NTTFS004N04CR2G, NTD140N04CTG, NVTFS004N04CLTAG
