时间：2025/9/14 14:26:01
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NZH3V6B,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的表面贴装双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于通用和高频应用，具有较高的可靠性、稳定性和效率。该器件采用 SOT-23（TO-236）封装，适用于各种电子设备，如放大器、开关电路、传感器接口等。
类型：NPN 晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
最大工作温度：150 °C
电流增益（hFE）：110 至 800（根据不同等级）
过渡频率（fT）：250 MHz
封装类型：SOT-23（TO-236）
NZH3V6B,115 是一款性能优异的通用 NPN 晶体管，具备良好的高频响应和稳定性，适合在高频放大电路中使用。其高过渡频率（fT 达到 250 MHz）使其适用于射频（RF）和高速开关应用。晶体管的电流增益（hFE）范围广泛（110 至 800），根据不同的等级提供不同的增益选择，方便设计者根据电路需求选择合适的器件。此外，该晶体管具有较低的饱和压降，有助于提高能效并减少热量产生。
NZH3V6B,115 采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。这种封装形式支持自动贴片工艺，提高了生产效率。器件的热阻较低，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升整体的稳定性和使用寿命。此外，该晶体管符合 RoHS 环保标准，无铅且符合现代电子制造的环保要求。
该晶体管还具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内（-55 °C 至 150 °C）都能保持稳定的性能。这使得它适用于各种工作环境，包括工业控制、汽车电子、消费类电子产品等。其较高的最大集电极-发射极电压（Vce）和集电极电流（Ic）能力，使其在中低功率应用中表现出色。
NZH3V6B,115 主要应用于需要高频响应和稳定性能的电子电路中。其高频特性使其适用于射频放大器、振荡器和调制电路等通信相关应用。此外，该晶体管广泛用于数字电路中的开关元件，例如逻辑门电路、缓冲器和驱动电路。在工业自动化和控制系统中，NZH3V6B,115 可用于传感器信号放大、继电器驱动以及执行器控制等场景。
在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、音频放大器和可穿戴设备中，该晶体管可用于音频放大、电源管理和信号处理等功能模块。其小尺寸封装也使其成为便携式设备的理想选择。在汽车电子领域，该晶体管可用于车载娱乐系统、车身控制模块和车载传感器接口电路等应用。此外，该器件还可用于LED驱动、DC-DC转换器和低噪声前置放大器等电源管理相关应用。
BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A
