时间：2025/5/9 18:03:54
阅读：19
NZ5628TR1是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。其封装形式为TO-252，适合表面贴装工艺，能够满足各种电子设备对高效能和小型化的需求。
该MOSFET主要特点是低栅极电荷和低导通电阻，从而降低了导通损耗和开关损耗，提高了系统的整体效率。此外，它还具备良好的热稳定性和抗静电能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：9nC
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
5. 良好的热稳定性，确保在高温条件下仍能可靠运行。
6. 抗静电能力强，有效防止ESD对器件的损害。
NZ5628TR1常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 各类工业控制和消费电子产品的功率管理模块。
5. LED驱动器和DC-DC转换器中的功率开关元件。
IRF540N
FDP5570
AON7718
