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NZ5628TR1 发布时间 时间:2025/5/9 18:03:54 查看 阅读:19

NZ5628TR1是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。其封装形式为TO-252,适合表面贴装工艺,能够满足各种电子设备对高效能和小型化的需求。
  该MOSFET主要特点是低栅极电荷和低导通电阻,从而降低了导通损耗和开关损耗,提高了系统的整体效率。此外,它还具备良好的热稳定性和抗静电能力,能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏电流:30A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 良好的热稳定性,确保在高温条件下仍能可靠运行。
  6. 抗静电能力强,有效防止ESD对器件的损害。

应用

NZ5628TR1常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 各类工业控制和消费电子产品的功率管理模块。
  5. LED驱动器和DC-DC转换器中的功率开关元件。

替代型号

IRF540N
  FDP5570
  AON7718

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