NZ5628TR1是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。其封装形式为TO-252,适合表面贴装工艺,能够满足各种电子设备对高效能和小型化的需求。
该MOSFET主要特点是低栅极电荷和低导通电阻,从而降低了导通损耗和开关损耗,提高了系统的整体效率。此外,它还具备良好的热稳定性和抗静电能力,能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
最大漏电流:30A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:9nC
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
5. 良好的热稳定性,确保在高温条件下仍能可靠运行。
6. 抗静电能力强,有效防止ESD对器件的损害。
NZ5628TR1常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 各类工业控制和消费电子产品的功率管理模块。
5. LED驱动器和DC-DC转换器中的功率开关元件。
IRF540N
FDP5570
AON7718