时间：2025/9/14 6:51:18
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NXV90EPR 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有较低的导通电阻和优异的热性能。NXV90EPR 采用先进的沟槽技术，提供更高的能效和更小的封装尺寸，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用。该 MOSFET 支持高电流承载能力，同时具备良好的抗雪崩能力，适合在高可靠性要求的工业和汽车电子系统中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：90V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：D2PAK（表面贴装）
NXV90EPR 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件的导通电阻仅为 3.7mΩ，能够显著降低在高电流下的功耗，从而提高系统整体能效。此外，NXV90EPR 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达 180A，适用于高功率密度设计。
另一个重要特性是其出色的热性能。采用 D2PAK 封装，具备良好的散热能力，使得该 MOSFET 在高功率应用中依然能够保持稳定运行。此外，NXV90EPR 的封装设计支持表面贴装工艺，有助于提高 PCB 布局的灵活性和可靠性。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护，增强系统的鲁棒性。这使其适用于要求高可靠性的工业和汽车电子应用，如电机驱动器、电池管理系统（BMS）和 DC-DC 转换器。
另外，NXV90EPR 的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的 10V 驱动电路，确保快速开关操作并降低开关损耗。其开关特性优异，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统效率。
NXV90EPR 广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）。由于其高电流承载能力和低导通电阻，NXV90EPR 特别适合用于工业电源、服务器电源、电信设备电源以及新能源汽车的功率管理系统。
在电机控制应用中，NXV90EPR 可用于 H 桥结构中的功率开关，实现高效、可靠的电机驱动。此外，它也适用于高功率 LED 照明系统的驱动电路，帮助实现更高的能效和更小的系统尺寸。
在汽车电子领域，NXV90EPR 可用于车载充电器（OBC）、48V 轻混系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载 DC-DC 转换器等应用。其高可靠性和抗恶劣环境能力，使其成为汽车功率系统中的理想选择。
SiHF90N08T、FDP90N08A、IRF3708、NTMFS4C08N、FDMS86101
