时间：2025/8/2 4:49:33
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NXV75UP 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双N沟道增强型MOSFET器件，专为高性能功率管理应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于电源转换、电机控制、负载开关以及电池管理系统等领域。NXV75UP采用双封装形式，内部集成两个独立的MOSFET，能够在高频率和高负载条件下提供稳定可靠的性能。
类型：MOSFET（N沟道）
漏极电流（Id）：75A（最大）
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：13.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
功率耗散（Pd）：180W
栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2300pF（典型值）
NXV75UP具备多项先进特性，使其在功率管理应用中表现出色。
首先，其双N沟道MOSFET结构允许用户在同一封装中集成两个独立的功率开关，节省PCB空间并简化电路设计。该器件采用Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
其次，NXV75UP具有优异的热性能和高功率耗散能力，适用于高负载和高频率开关应用。其D2PAK封装支持表面贴装，提高了散热效率，同时增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽（可支持4.5V至20V），兼容多种驱动电路，包括逻辑电平驱动器。其高抗雪崩能力和过载保护功能进一步增强了系统的稳定性与安全性。
最后，NXV75UP符合RoHS环保标准，并具备高可靠性和长使用寿命，适用于工业、汽车和消费类电子等多种应用场景。
NXV75UP广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关设计，能够有效提升系统效率并降低功耗。在电机控制领域，NXV75UP可作为H桥电路中的功率开关，实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS），用于充放电控制及保护电路。在汽车电子中，NXV75UP可用于车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等应用。其高可靠性和优异的热性能也使其成为工业自动化设备、UPS不间断电源以及高功率LED照明系统中的理想选择。
Si7461DP, IRF7473, NVTFS5C471NL, FDS8954
