时间：2025/9/14 5:46:55
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NXV65UPR是一种功率MOSFET，广泛用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，使其适用于诸如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。NXV65UPR具有较高的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的电气和环境条件下稳定运行。
类型：功率MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：650V
最大漏极电流（ID）：160A（在TC=25°C时）
RDS(on)：最大值为9.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
最大功耗（PD）：320W
漏极-源极击穿电压：650V
栅极电荷（Qg）：135nC（典型值）
输入电容（Ciss）：5000pF（典型值）
NXV65UPR采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。此外，NXV65UPR具有优异的热稳定性，能够在高温环境下保持良好的性能。其栅极驱动特性优化，确保了快速开关动作，从而减少了开关损耗。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过载耐受能力，提高了系统可靠性。TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率应用中的稳定运行。
NXV65UPR广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、DC-DC转换器、UPS系统、电机驱动器、太阳能逆变器和服务器电源。此外，该器件还可用于电池管理系统、负载开关和高频电源转换器等应用场景。由于其高可靠性和高效能特性，NXV65UPR在汽车电子、工业自动化和可再生能源系统中也得到了广泛应用。
IXFH160N65X2, APT65GH60J
