NXV55UNR 时间：2025/9/14 2:55:08 阅读：6

NXV55UNR 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench沟槽技术，提供高效率、低导通电阻和优异的热性能。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中。NXV55UNR 采用UDFN（Ultra Thin Dual Flat No-lead）封装，适用于空间受限的便携式电子产品。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：5.5A（单通道）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：UDFN-6

特性

NXV55UNR MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其30V的漏源电压额定值使其适用于多种中低压电源转换应用。该器件的双N沟道结构设计允许其在高侧或低侧开关中使用，具有良好的匹配性和对称性。
　　该MOSFET的UDFN-6封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，还具有良好的热管理能力，能够在高电流负载下保持稳定工作温度。此外，NXV55UNR具备较高的栅极击穿电压（±20V），增强了器件在复杂电磁环境下的可靠性。
　　在电气特性方面，NXV55UNR具有较低的栅极电荷（Qg），有利于高频开关应用中的快速导通与关断，从而降低开关损耗。其阈值电压（VGS(th)）典型值为1.5V，能够在常见的逻辑电平驱动条件下正常工作，便于与数字控制器或驱动IC配合使用。

应用

NXV55UNR主要应用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电源管理单元（PMU）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路以及负载开关等场景。由于其双通道结构和低RDS(on)，非常适合用于需要高效能和高可靠性的电池供电系统。此外，该器件也可用于工业控制设备、通信设备和消费类电子产品中的电源转换与管理模块。