时间：2025/8/20 19:54:31
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MAY3K0000T 是由 Vishay 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高效率电源转换和功率开关应用。MAY3K0000T 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高电流能力和低功耗的场合。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：120A（Tc）
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 2.75mΩ（在 VGS=10V）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
MAY3K0000T MOSFET 具备多项优异特性，适用于高性能电源系统。其低导通电阻（RDS(on)）可显著减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高电流承载能力（高达 120A）使其适用于大功率应用场景，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等。
该 MOSFET 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具备良好的热管理和散热性能，能够在高功率密度设计中稳定工作。此外，其宽泛的栅极电压范围（±20V）增强了设计的灵活性，适用于多种驱动电路配置。
器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，具有良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。MAY3K0000T 还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。
MAY3K0000T 主要应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统。典型应用包括但不限于：服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关以及工业自动化控制系统等。
由于其低导通电阻和高电流能力，MAY3K0000T 特别适合用于同步整流电路和高效率电源转换模块。在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高功率处理能力的场合。
此外，该 MOSFET 的高热稳定性和宽工作温度范围使其在恶劣环境条件下也能保持稳定性能，广泛应用于工业控制、通信基础设施和消费类电子产品的电源管理系统中。
SiS3406-GE3, IRF1324S-7PPBF, SQJQ134EP-T1_GE3
