时间：2025/7/25 17:02:52
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NXH50M65L4C2SG是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）设计和制造的SiC（碳化硅）功率模块，属于其高性能宽禁带（WBG）功率器件系列。该模块集成了两个SiC MOSFET器件，采用双路半桥（Dual Half-Bridge）拓扑结构，适用于高效率、高频开关应用。NXH50M65L4C2SG具有低导通损耗和开关损耗，能够在高温环境下稳定运行，广泛应用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、储能系统以及工业电源等领域。该模块采用了安森美成熟的SiC技术，结合了高可靠性的封装设计，确保了在高电压和高电流条件下的稳定性能。
最大漏极-源极电压（VDS）：650V
最大连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为40mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：双列直插式封装（Dual Inline Package, DIP）
短路耐受能力：600V/50A条件下可承受10μs
热阻（Rth）：约0.35°C/W
输入电容（Ciss）：约4000pF
反向恢复电荷（Qrr）：约50nC
NXH50M65L4C2SG具备多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其采用的SiC材料具备宽禁带特性，使得该模块能够在更高的电压和温度下稳定工作，同时显著降低了导通损耗和开关损耗。其导通电阻仅为40mΩ，有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。此外，该模块具有较强的短路耐受能力，在600V/50A条件下可承受10μs的短路电流，从而提高了系统的可靠性。
在热管理方面，NXH550M65L4C2SG的热阻约为0.35°C/W，具有优异的散热性能，能够在高功率密度环境下保持较低的温升。其封装设计采用了高可靠性材料，具备良好的绝缘性能和机械强度，适用于恶劣工业环境。此外，该模块的输入电容较小，约为4000pF，有助于降低开关过程中的能量损耗，而反向恢复电荷也控制在约50nC以内，进一步提升了高频开关性能。
该模块还支持高频操作，适用于需要快速开关的应用场景，如DC-DC转换器、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端环境下稳定运行，适用于电动汽车、可再生能源系统和工业自动化等对可靠性要求极高的应用领域。
NXH50M65L4C2SG广泛应用于多个高功率电子系统中，特别是在需要高效率、高频开关和高可靠性的场合。该模块适用于电动汽车充电系统，包括车载充电器（OBC）和充电桩功率模块，能够提供更高的转换效率和更小的体积。此外，在太阳能逆变器中，NXH50M65L4C2SG可用于DC-AC转换部分，提升系统的整体能效，并支持更高的开关频率，从而减小滤波器和磁性元件的尺寸。
在储能系统中，该模块可用于双向DC-DC转换器，实现高效的能量存储与释放。在工业电源应用中，如UPS（不间断电源）、服务器电源和焊接设备，NXH50M65L4C2SG能够提供更高的功率密度和更低的损耗，满足高可靠性要求。此外，该模块还可用于电机驱动系统，如伺服驱动器和电动汽车牵引逆变器，其优异的短路保护能力和高温稳定性使其在严苛环境下依然表现优异。
Cree / Wolfspeed的CAB450M120H、Infineon的BSM500D12P2E007、STMicroelectronics的SCT3040KL-7AG、ON Semiconductor的NXH80M120L5Q0SG
