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NX7002AKVL 发布时间 时间:2025/9/14 21:24:05 查看 阅读:12

NX7002AKVL 是恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的一款高性能、低功耗的双通道MOSFET晶体管。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,具有极低的导通电阻和优良的热性能,适用于各种电源管理和开关应用。NX7002AKVL是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用SOT-23封装形式,适合在紧凑型电路设计中使用。该器件广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC转换器以及负载开关等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  封装:SOT-23
  最大漏极电流(ID):100mA
  最大漏极-源极电压(VDS):20V
  最大栅极-源极电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为2.8Ω(在VGS=4.5V时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  功耗:300mW
  引脚数:3
  阈值电压(VGS(th)):1.0V至2.5V
  漏极电流(连续):100mA
  漏极-源极击穿电压:20V

特性

NX7002AKVL是一款基于Trench MOSFET技术的N沟道功率晶体管,具有出色的导通性能和开关特性。其最大漏极电流为100mA,最大漏极-源极电压为20V,适用于低压电源管理应用。该器件的导通电阻(RDS(on))在VGS=4.5V时仅为2.8Ω,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。此外,NX7002AKVL的工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适应各种恶劣的环境条件。
  该MOSFET采用SOT-23小型封装,占用空间小,适合用于高密度PCB设计。其栅极驱动电压范围为1.0V至2.5V,兼容多种控制电路。NX7002AKVL的功耗为300mW,具备良好的热稳定性和可靠性。由于其低导通电阻和优异的开关速度,该器件在电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关等应用中表现出色,能够有效提升系统能效并延长电池寿命。

应用

NX7002AKVL主要应用于需要低功耗、小尺寸和高性能的电子系统中。例如,它可作为电池管理系统中的开关元件,用于控制电池充放电过程,提高能量利用率。在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和穿戴设备,NX7002AKVL可用于电源管理模块,实现高效能的电源切换和负载控制。
  此外,NX7002AKVL还可用于DC-DC转换器中的同步整流器或开关元件,提高转换效率并减少发热。在LED照明系统中,它可以作为电流调节开关,实现精确的亮度控制。该器件也适用于各种传感器接口电路和逻辑电平转换应用,提供可靠的信号控制和隔离功能。由于其优异的热性能和稳定性,NX7002AKVL也可用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品的电源管理系统中。

替代型号

2N7002, BSS138, 2N3904

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NX7002AKVL参数

  • 现有数量9,818现货
  • 价格1 : ¥1.51000剪切带(CT)10,000 : ¥0.20869卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)190mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 欧姆 @ 100mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.43 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)265mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3