时间：2025/9/14 18:20:59
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NX3008NBKV,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款双N沟道增强型MOSFET芯片，广泛应用于中低功率的开关电路和负载管理中。该器件采用TSSOP8封装，适用于各种便携式设备、电源管理系统和电池供电应用。
类型：MOSFET（双N沟道增强型）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：1.7A（单通道）
导通电阻（RDS(on)）：0.165Ω @ VGS = 4.5V / 0.22Ω @ VGS = 2.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TSSOP8
NX3008NBKV,115 具备多项优良特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其双N沟道MOSFET设计使其能够处理多个独立的开关任务，适用于需要并行控制的应用场景。其次，该器件的漏源电压为30V，栅源电压最大为±20V，具备良好的电压耐受能力，适用于中等功率的开关控制。
该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.165Ω在VGS=4.5V条件下，能够在导通状态下提供较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，在较低的栅极电压（如2.5V）下，导通电阻仍保持在0.22Ω，使其适用于低电压控制电路，例如由微控制器直接驱动的应用。
NX3008NBKV,115采用TSSOP8封装，体积小巧，便于在空间受限的设备中集成，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。该封装还具有良好的热性能，能够有效散热以确保稳定运行。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应多种环境条件，包括工业级应用。
该MOSFET具有较高的可靠性，符合AEC-Q101汽车级标准，适合用于汽车电子系统，如车身控制模块、LED照明驱动和电动机控制。此外，其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高动态响应速度，适用于高频开关应用。
NX3008NBKV,115 主要应用于便携式电子产品、电池管理系统、电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关以及汽车电子中的各种低功耗控制电路。其双MOSFET结构也使其适用于H桥驱动、电机控制和LED背光驱动等应用场景。
Si3442DV-T1-GE3, TPS2L100EVM, AO3400A, BSS138K
