类型：功率MOSFET模块（碳化硅）
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247-3L
　　技术：碳化硅（SiC）
　　安装方式：通孔（Through Hole）

APTGS15X120RTP2G作为一款碳化硅功率MOSFET模块，具有多项显著的性能优势。
　　首先，其采用碳化硅半导体材料，使得该器件在高温环境下仍能保持稳定运行，工作温度范围达到-55°C至+175°C，满足工业级和高可靠性应用的需求。相比传统硅基MOSFET，碳化硅材料具有更高的热导率，有助于提高器件的散热能力，降低热阻，从而提升整体系统的可靠性和寿命。
　　其次，该模块的最大漏源电压（Vds）可达1200V，最大漏极电流（Id）为15A，导通电阻（Rds(on)）仅为80mΩ，确保了在高功率应用中的低导通损耗。低Rds(on)特性不仅提高了效率，还减少了功率损耗，降低了对散热系统的要求，从而有助于缩小系统尺寸并降低整体成本。
　　此外，APTGS15X120RTP2G具备出色的开关性能，能够在高频率下运行，适用于需要快速开关的逆变器和DC-DC转换器应用。其快速开关能力减少了开关损耗，提高了系统效率，同时也有助于减小无源元件的尺寸，如电感和电容，进一步提升系统的功率密度。
　　最后，该器件采用TO-247-3L封装，具有良好的机械稳定性和电气连接可靠性，适用于高振动和恶劣环境下的应用。TO-247封装也便于安装和散热管理，适合广泛用于工业和能源系统。

APTGS15X120RTP2G广泛应用于多个高功率电子系统领域。在工业自动化和电机驱动领域，该器件可用于高性能逆变器和伺服驱动器，提供高效能和高可靠性的电源转换方案。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中，APTGS15X120RTP2G的高效率和高温稳定性使其成为理想的功率开关器件。此外，该模块还适用于不间断电源（UPS）系统、电能质量调节设备、电动汽车充电器和储能系统等需要高效功率转换的场合。在电力电子测试设备和实验室电源系统中，它也被用于构建高可靠性、高效率的功率模块。

Cree/C3M0015120D, Infineon/IMZ120R5HM3, STMicroelectronics/SCT3045KL, ON Semiconductor/NTBTS15N120SC1