时间：2025/8/6 7:50:34
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IXFH11N90是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高功率应用而设计。该器件由IXYS公司生产，具有较高的电流承载能力和优异的热稳定性，适用于多种工业和电力电子设备。IXFH11N90采用TO-247封装，使其能够轻松集成到各种电路设计中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
连续漏极电流(Id)：11A（Tc=25℃）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至+150℃
栅极阈值电压(Vgs(th))：4.5V至6.5V
导通电阻(Rds(on))：0.85Ω
封装类型：TO-247
IXFH11N90具有多项优异特性，使其适用于高功率应用。其高漏源电压额定值为900V，可以承受高电压应力，确保在恶劣条件下的可靠性。连续漏极电流为11A，在适当的散热条件下可提供稳定的性能。该器件的导通电阻较低，仅为0.85Ω，有助于减少功率损耗并提高效率。此外，IXFH11N90的封装形式为TO-247，提供良好的散热性能，并便于安装在散热器上。
该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频应用，同时具备较低的开关损耗。其栅极阈值电压范围为4.5V至6.5V，适合多种驱动电路设计。IXFH11N90的工作温度范围广泛，从-55℃到+150℃，使其能够在极端环境条件下正常工作。
IXFH11N90广泛应用于各种高功率和高压电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制和功率因数校正（PFC）电路。由于其高电压和高电流特性，IXFH11N90也常用于工业自动化设备、照明控制系统和电动汽车充电设备中。
IXFH11N90P、IXFH11N90Q、IXFH14N90
