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NVTFS5826NLTAG 发布时间 时间:2025/6/3 23:28:19 查看 阅读:4

NVTFS5826NLTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高效能电源管理应用。
  该器件的封装形式为 TO-263 (D2PAK),适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:74A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):2.6mΩ
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

NVTFS5826NLTAG 具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,能够满足高频开关应用的需求。
  3. 较高的雪崩击穿能量(EAS),增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 提供优异的热性能表现,确保长时间稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 耐热增强型封装设计,提升散热能力。

应用

NVTFS5826NLTAG 的典型应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
  3. 电机驱动电路。
  4. 电池保护与管理系统。
  5. 工业逆变器及 UPS 系统。
  6. 各类负载开关和保护电路。
  由于其大电流承载能力和低导通电阻,这款 MOSFET 特别适合需要高效率和高性能的场景。

替代型号

NVTFS5822NL, IRF540N, FDP5800

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NVTFS5826NLTAG参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-WDFN(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)