时间：2025/6/3 23:28:19
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NVTFS5826NLTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效能电源管理应用。
该器件的封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：74A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：2.6mΩ
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (D2PAK)
NVTFS5826NLTAG 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，能够满足高频开关应用的需求。
3. 较高的雪崩击穿能量（EAS），增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 提供优异的热性能表现，确保长时间稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 耐热增强型封装设计，提升散热能力。
NVTFS5826NLTAG 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动电路。
4. 电池保护与管理系统。
5. 工业逆变器及 UPS 系统。
6. 各类负载开关和保护电路。
由于其大电流承载能力和低导通电阻，这款 MOSFET 特别适合需要高效率和高性能的场景。
NVTFS5822NL, IRF540N, FDP5800
