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HMK105B7682KVHFE 发布时间 时间:2025/7/9 8:36:55 查看 阅读:8

HMK105B7682KVHFE是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和工业控制等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款MOSFET采用N沟道增强型设计,支持高频开关操作,并具备良好的抗静电能力(ESD保护)。其封装形式通常为TO-220或TO-247,具体以实际产品为准。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:700V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  持续漏极电流Id:5A
  导通电阻Rds(on):3.5Ω(在Vgs=10V时)
  功耗Pd:200W
  工作结温范围Tj:-55℃至+150℃

特性

HMK105B76. 高耐压能力,适用于高压应用环境。
  2. 低导通电阻,减少功率损耗并提升效率。
  3. 快速开关性能,适合高频应用场合。
  4. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 强大的ESD防护能力,提高了芯片的可靠性和耐用性。
  6. 封装牢固耐用,便于散热和安装。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和逆变器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 电动车和混合动力车中的电力管理系统。
  4. 高频DC-DC转换器。
  5. 各类家用电器及自动化设备中的高压切换控制模块。

替代型号

HMK105B7682KVHF, IRF740, STP70NF7, FDP7600

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HMK105B7682KVHFE参数

  • 现有数量32,602现货
  • 价格1 : ¥1.43000剪切带(CT)10,000 : ¥0.25020卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容6800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车,SMPS 滤波
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-