HMK105B7682KVHFE是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和工业控制等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款MOSFET采用N沟道增强型设计,支持高频开关操作,并具备良好的抗静电能力(ESD保护)。其封装形式通常为TO-220或TO-247,具体以实际产品为准。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:700V
最大栅源电压Vgs:±20V
持续漏极电流Id:5A
导通电阻Rds(on):3.5Ω(在Vgs=10V时)
功耗Pd:200W
工作结温范围Tj:-55℃至+150℃
HMK105B76. 高耐压能力,适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻,减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能,适合高频应用场合。
4. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 强大的ESD防护能力,提高了芯片的可靠性和耐用性。
6. 封装牢固耐用,便于散热和安装。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和逆变器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 电动车和混合动力车中的电力管理系统。
4. 高频DC-DC转换器。
5. 各类家用电器及自动化设备中的高压切换控制模块。
HMK105B7682KVHF, IRF740, STP70NF7, FDP7600