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NVMFWS0D7N04XMT1G 发布时间 时间:2025/7/14 15:26:18 查看 阅读:12

NVMFWS0D7N04XMT1G是一种嵌入式闪存解决方案,属于NOR闪存类型。这种存储器通常用于需要高速读取和执行代码的应用中。与NAND闪存相比,NOR闪存具有更快的随机访问速度,因此非常适合存储启动代码、固件或关键操作系统数据。NVMFWS0D7N04XMT1G封装为WSON(小外形无引脚封装),适用于空间受限的设计。它由Micron(美光)公司生产,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。

参数

制造商: Micron
  产品类型: NOR Flash
  容量: 512Mb
  电压范围: 1.65V - 3.6V
  接口: SPI
  最大时钟频率: 80MHz
  工作温度范围: -40°C ~ +85°C
  封装类型: WSON

特性

NVMFWS0D7N04XMT1G采用SPI(串行外设接口)通信协议,允许在较低的引脚数量下实现高效的数据传输。该芯片支持多种读写操作模式,包括标准SPI、双输出SPI和四输出SPI,从而显著提高数据吞吐量。此外,NVMFWS0D7N04XMT1G还具备较高的耐用性和数据保持能力,确保在各种恶劣环境下仍能稳定运行。
  SPI接口设计使得该芯片易于集成到现有系统中,并且可以与多种主控设备兼容。它的低功耗特性使其非常适合用于便携式设备和电池供电系统。此外,NVMFWS0D7N04XMT1G内置错误检测功能,可提高数据完整性和可靠性。
  这款芯片的存储密度高达512Mb,能够满足对代码存储和数据存储的需求。其宽泛的工作电压范围(1.65V至3.6V)使其适用于多种电源管理方案,提高了设计的灵活性。

应用

NVMFWS0D7N04XMT1G广泛应用于工业控制系统、汽车电子设备、医疗仪器、消费类电子产品(如智能手表、穿戴设备)以及物联网(IoT)设备中。由于其高速度和高可靠性,特别适合用于引导代码存储、实时数据记录和固件更新等场景。

替代型号

NVMFWS0D7N04XMWB0G

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NVMFWS0D7N04XMT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1,500 : ¥11.16081卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)331A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.7 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 180μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)74.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4657 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)134W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装,可润湿侧翼
  • 供应商器件封装5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线