时间：2025/8/11 18:16:25
阅读：7
NVMFS6H836NLT1G 是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了低导通电阻和高功率效率。其封装形式为SO-8，适合于空间受限的应用场景，例如DC-DC转换器、负载开关和电机控制。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.5A
导通电阻（Rds(on)）：175mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散：3.1W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SO-8
NVMFS6H836NLT1G具备多项优异特性，适合各种高效率功率应用。首先，其导通电阻Rds(on)的最大值为175mΩ，在Vgs=10V的条件下，能够显著降低导通损耗，提高整体效率。其次，该MOSFET的漏源电压（Vds）为80V，使其适用于中等功率的电源转换应用，如同步整流器、DC-DC降压和升压电路。
此外，该器件的连续漏极电流为6.5A，能够承受较高的电流负载，同时其SO-8封装形式具备良好的散热性能，有助于提升整体系统的稳定性。NVMFS6H836NLT1G的工作温度范围为-55°C至150°C，具备较强的环境适应能力，适用于工业级和汽车电子应用。
该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高响应速度。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），可兼容多种控制电路，增强了设计的灵活性。综合这些特点，NVMFS6H836NLT1G是一款性能稳定、效率高、适用范围广的功率MOSFET解决方案。
NVMFS6H836NLT1G广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于同步整流、DC-DC转换器以及负载开关设计，以提高能效并减少热量产生。此外，它适用于电机控制电路，如电动工具、风扇和小型驱动器的功率开关部分。在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电设备，该MOSFET可用于电池保护电路或电源路径管理。由于其具备较高的温度稳定性，因此也适用于工业自动化设备和汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和车身控制模块（BCM）等。
Si2302DS、FDS6675、IRF7309、NVMFS4C03NLT1G
