时间：2025/8/11 18:17:48
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NVMFS5C673NLWFAFT3G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，适用于广泛的电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制。这款MOSFET采用先进的封装技术，具有良好的热性能和电性能，确保在高电流和高温环境下稳定运行。NVMFS5C673NLWFAFT3G的工作电压范围宽广，能够在600V的漏源电压下可靠工作，同时具备较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高能效。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：10A（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.67Ω @ VGS=10V
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220-3
NVMFS5C673NLWFAFT3G具有多项关键特性，使其在复杂的电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻确保了在高电流负载下，器件的导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。其次，该MOSFET具备高耐压能力，能够在600V的高压环境下稳定工作，适用于多种高电压应用场景。此外，其封装设计提供了良好的散热性能，使器件在高功率密度应用中也能保持较低的工作温度。NVMFS5C673NLWFAFT3G还具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。该器件的可靠性高，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内工作，适应各种恶劣的工业环境。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的驱动电压，提供了更大的设计灵活性。
NVMFS5C673NLWFAFT3G广泛应用于各种高电压和高功率的电子系统中。常见应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、工业电源、马达驱动器和负载开关控制。该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理场合，如服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备和消费类电子产品。由于其高耐压和低导通电阻特性，NVMFS5C673NLWFAFT3G也可用于太阳能逆变器、电动车充电器和LED照明驱动电路等新能源和绿色能源相关设备。此外，其良好的热性能使其在高环境温度条件下仍能保持稳定运行，因此非常适合用于紧凑型高功率密度设计。
STP6NK60Z, FQA10N60, IRFBC40
