RKS100KGP106-HS是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适合在高电压和大电流条件下工作,同时封装设计优化了散热性能,使其在高温环境下依然保持稳定运行。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:75nC
开关时间:开启时间 9ns,关断时间 14ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
RKS100KGP106-HS具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,显著降低导通损耗。
2. 快速开关速度,减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强器件的鲁棒性。
4管理。
5. 支持高频操作,适用于现代高效电源解决方案。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
该芯片广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具中的电机驱动
5. 工业自动化控制
6. 汽车电子系统
RKS100KGP106-HS凭借其优异的性能,特别适合需要高效率和高可靠性的场景。
RKS100KGP105-GS
IRF840
FDP17N10
STP10NK60Z