NVMFS5C673NLAFT1G 是一款由安森美(onsemi)生产的MOSFET功率器件。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有高效率、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的场景。
这款MOSFET属于逻辑电平驱动类型,适用于各种低电压应用场合。其封装形式为LFPAK56D,适合表面贴装技术(SMT),能够提供良好的散热性能和紧凑的设计。
最大漏源电压(VDS):60V
连续漏极电流(ID):84A
导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ
栅极电荷(Qg):58nC
输入电容(Ciss):4920pF
工作温度范围(TJ):-55°C 至 +175°C
封装类型:LFPAK56D
NVMFS5C673NLAFT1G 具有以下主要特点:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力,使其非常适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度,可有效减少开关损耗。
4. 符合汽车级认证要求,能够在极端环境下可靠运行。
5. 封装设计优化了热性能,同时支持自动化装配流程。
6. 稳定的电气特性和长寿命,保证长期使用的稳定性。
NVMFS5C673NLAFT1G 可用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的电机控制器和逆变器模块。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. LED 照明驱动中的高效功率控制。
5. 各种消费类电子产品的适配器和充电器。
6. 太阳能微逆变器及其他可再生能源系统的功率管理部分。
NVMFS5C673NLAT1G, NVMFS5C673NLAHFT1G