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NVMFS5C673NLAFT1G 发布时间 时间:2025/4/28 15:51:25 查看 阅读:29

NVMFS5C673NLAFT1G 是一款由安森美(onsemi)生产的MOSFET功率器件。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有高效率、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的场景。
  这款MOSFET属于逻辑电平驱动类型,适用于各种低电压应用场合。其封装形式为LFPAK56D,适合表面贴装技术(SMT),能够提供良好的散热性能和紧凑的设计。

参数

最大漏源电压(VDS):60V
  连续漏极电流(ID):84A
  导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ
  栅极电荷(Qg):58nC
  输入电容(Ciss):4920pF
  工作温度范围(TJ):-55°C 至 +175°C
  封装类型:LFPAK56D

特性

NVMFS5C673NLAFT1G 具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,使其非常适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,可有效减少开关损耗。
  4. 符合汽车级认证要求,能够在极端环境下可靠运行。
  5. 封装设计优化了热性能,同时支持自动化装配流程。
  6. 稳定的电气特性和长寿命,保证长期使用的稳定性。

应用

NVMFS5C673NLAFT1G 可用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动车辆 (EV/HEV) 的电机控制器和逆变器模块。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  4. LED 照明驱动中的高效功率控制。
  5. 各种消费类电子产品的适配器和充电器。
  6. 太阳能微逆变器及其他可再生能源系统的功率管理部分。

替代型号

NVMFS5C673NLAT1G, NVMFS5C673NLAHFT1G

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NVMFS5C673NLAFT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥11.92000剪切带(CT)1,500 : ¥5.41007卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.2 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 35μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)880 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)46W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线