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IXTN550N055T2 发布时间 时间:2025/7/19 3:18:55 查看 阅读:8

IXTN550N055T2 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)生产的高功率 N 沟道 MOSFET 晶体管。该器件设计用于高电流、高频开关应用,例如电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器以及工业自动化设备。该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力以及出色的热管理性能,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):550A(在25°C)
  最大漏-源极电压(VDS):55V
  最大栅-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大 0.0035Ω(在 VGS=10V)
  功率耗散(PD):320W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247AC

特性

IXTN550N055T2 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该器件能够在高频率下运行,适用于高频开关电源和逆变器等应用。
  该 MOSFET 采用先进的平面技术制造,具有优异的热稳定性和可靠性。其高电流承载能力和低热阻使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  另一个显著特点是其栅极驱动特性。该器件可以在 10V 的栅极电压下完全导通,确保了较低的开关损耗和良好的控制性能。此外,它具有较高的短路耐受能力,适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
  在封装方面,TO-247AC 封装提供了良好的散热性能,并且便于安装在散热器上,适用于高功率密度的设计。

应用

IXTN550N055T2 主要应用于高功率、高效率的电力电子系统中。例如,在 DC-DC 转换器中,它可以用作主开关器件,以提高转换效率并减少热损耗。
  在电机驱动和变频器中,该 MOSFET 可用于 PWM 控制,提供精确的电流调节能力。
  此外,它也广泛应用于电源管理系统、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电池管理系统(BMS)中,特别是在需要高电流和低导通损耗的场合。
  由于其高可靠性和耐高温能力,IXTN550N055T2 也适用于汽车电子系统,如电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的功率转换模块。

替代型号

IXTT550N055T2, IXTK550N055T2

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IXTN550N055T2参数

  • 标准包装30
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列TrenchT2™ GigaMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C550A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.3 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs595nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds40000pF @ 25V
  • 功率 - 最大940W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件