时间：2025/5/23 15:29:59
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NVMFS5C404NWFAFT1G是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高效能MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场合。其封装形式为TO-263-3L（D2PAK），能够提供卓越的电气特性和可靠性。
该器件主要设计用于需要高效能量转换和低损耗的场景，例如开关电源、电机驱动器、负载切换以及DC-DC转换器等。由于其优越的电气性能和紧凑的封装，这款MOSFET非常适合在空间受限且对效率要求较高的应用中使用。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：40A
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ
总栅极电荷：78nC
开关时间：ton=25ns, toff=29ns
工作结温范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263-3L（D2PAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升整体效率。
2. 高额定电流能力，支持高达40A的连续漏极电流，满足高功率应用场景需求。
3. 快速开关性能，具备较小的总栅极电荷和短开关时间，减少了开关损耗。
4. 宽工作温度范围，能够适应极端环境条件，从低温到高温均表现出色。
5. 封装采用D2PAK（TO-263-3L），便于表面贴装，适合自动化生产和紧凑型设计。
6. 出色的热性能，确保器件在高功率密度条件下稳定运行。
7. 高可靠性设计，符合严格的工业标准，适用于严苛的工作环境。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 负载切换电路
6. 工业自动化设备
7. 通信电源
8. 汽车电子系统
9. 太阳能逆变器
10. 电动工具和其他消费类电子产品中的功率管理模块
