FCPF190N60E 时间：2025/5/8 16:33:49 阅读：3

FCPF190N60E是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。此MOSFET能够在高达60V的电压下工作，并提供卓越的性能以满足现代电子设备的需求。
　　该器件设计上注重降低功耗和提升系统效率，特别适合用于需要高频操作和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：90A
　　导通电阻：1.7mΩ
　　栅极电荷：83nC
　　总电容：2540pF
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

FCPF190N60E具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，从而减少了传导损耗并提高了效率。
　　2. 高速开关能力，能够适应高频应用场景。
　　3. 强大的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
　　4. 良好的热稳定性，在极端温度范围内保持可靠的性能。
　　5. 小型化封装，有助于减少PCB空间占用，同时具备良好的散热性能。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
　　2. DC-DC转换器中作为同步整流或降压升压控制的关键组件。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 电池保护电路，例如电动汽车(EV)或混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
　　6. 任何需要高效能功率开关的应用场景。