时间：2025/4/29 12:45:38
阅读：3
NVMFS3D6N10MCLT1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于 Nexperia 公司的 GaN FET 系列产品。该器件采用先进的 GaN 技术制造，具有高开关速度、低导通电阻和高效率等特性，适用于各种高性能电源转换应用。
这款功率晶体管采用了常闭型结构设计（默认状态下为关断），并通过优化的封装形式来增强散热性能和电气连接可靠性。
型号：NVMFS3D6N10MCLT1G
类型：GaN 功率晶体管
Vds（漏源电压）：600 V
Rds(on)（导通电阻）：10 mΩ
Id（连续漏极电流）：24 A
Qg（总栅极电荷）：75 nC
Coss（输出电容）：800 pF
封装：LFPAK88-8
NVMFS3D6N10MCLT1G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力（600V），适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（10mΩ），能够显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高频工作，减少磁性元件体积并提升系统效率。
4. 采用 LFPAK88-8 封装，具备出色的散热性能和电气连接可靠性。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特性使 NVMFS3D6N10MCLT1G 成为高性能 AC-DC 和 DC-DC 转换器的理想选择。
该 GaN 晶体管广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的 PFC（功率因数校正）级和 LLC 谐振转换器。
2. 电动工具和家用电器中的高效驱动电路。
3. 新能源汽车充电设备，例如车载充电器（OBC）和直流充电桩。
4. 数据中心服务器电源模块，用于提高效率和功率密度。
5. 工业自动化设备中的电机驱动和逆变器应用。
NVMFS3D6N10MCLT1G 凭借其卓越的性能，在上述领域中可实现更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。
NVMFS3D6N10LCT1G
