时间：2025/8/7 10:25:04
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T700163004BY是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换和开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等高功率密度应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A（在TC=25°C时）
脉冲漏极电流（IDM）：240A
导通电阻（RDS(on)）：最大值10.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约80nC
工作温度范围：-55°C至175°C
T700163004BY的主要特性包括：低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率；高电流承载能力使其适用于高功率应用；采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽技术，提高了器件的热稳定性和可靠性；封装形式为SOP（小外形封装）或类似表面贴装封装，适合自动化生产流程；具备高耐雪崩能力，增强了在高压瞬态条件下的稳定性；该器件还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，T700163004BY的封装设计优化了热管理性能，有助于热量的快速散发，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，兼容主流的栅极驱动电路，简化了设计复杂度。同时，该器件的短路耐受能力较强，可在异常工况下提供一定的保护作用。
T700163004BY广泛应用于各种功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源分配系统、负载开关控制以及各种工业自动化设备。它也常见于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等。
SiS828DN、IPD90N03S4-03、IRF6723PBF、FDMS86180、T700163004BY的替代型号包括T700163004BY-A、T700163004BY-B等不同封装或温度等级的版本。
