NVMFD5C674NLT1G 时间：2025/8/2 8:02:05 阅读：30

NVMFD5C674NLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET设计用于高效能、低导通电阻和高可靠性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。该器件采用先进的沟槽工艺，具有较低的导通损耗和开关损耗，同时具备良好的热稳定性和耐久性。NVMFD5C674NLT1G的封装形式为TDFN-8，适合SMT（表面贴装技术）装配，能够在有限的空间内提供高效的功率控制能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大漏极电流(ID)：100A（在25°C时）
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：3.7mΩ（在VGS=10V时）
　　漏源击穿电压(BVDSS)：60V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TDFN-8

特性

NVMFD5C674NLT1G具有多个关键特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）为3.7mΩ，这意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗非常低，有助于提高系统的整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽工艺技术，使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高响应速度。此外，NVMFD5C674NLT1G的额定漏极电流高达100A，在25°C时依然保持稳定，使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度的设计。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备良好的抗过压能力，确保在各种工作条件下不会因栅极电压异常而损坏。NVMFD5C674NLT1G的封装形式为TDFN-8，具有良好的热管理性能，散热效率高，适合高密度PCB布局。该器件还具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保长期使用的可靠性。最后，其工作温度范围从-55°C到175°C，适合各种极端环境下的应用。

应用

NVMFD5C674NLT1G广泛应用于多个领域，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源管理系统、电池供电设备、服务器和电信设备的电源模块等。在DC-DC转换器中，该MOSFET用于高效能的电压转换，减少能量损耗，提高转换效率。在负载开关应用中，NVMFD5C674NLT1G可以作为高侧或低侧开关，控制电源的通断，适用于需要高电流控制的设备。在电机控制电路中，该器件用于PWM（脉宽调制）控制，调节电机的转速和扭矩。此外，在电池管理系统中，NVMFD5C674NLT1G可作为保护开关，防止过电流和短路对电池造成损害。其优异的热性能和可靠性也使其成为服务器和电信设备中电源模块的理想选择。