NVB6413ANT4G 时间：2025/7/22 10:11:16 阅读：1

NVB6413ANT4G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高频放大和开关应用设计，广泛用于通信设备、射频（RF）电路、音频放大器以及其他需要高增益和快速响应的电子系统中。NVB6413ANT4G采用SOT-223封装形式，具有良好的热稳定性和高频性能，适合表面贴装应用。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-223

特性

NVB6413ANT4G具有多项优异的电气特性和物理特性，适用于各种高性能电子设计。其NPN结构使其在放大和开关操作中表现出色，特别是在高频环境下依然保持稳定的增益特性。该晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz，表明其在射频和中频放大器中具有出色的响应能力。此外，该器件的电流增益范围宽广（hFE为110至800），可根据具体应用需求选择不同的增益档位，从而优化电路性能。NVB6413ANT4G的SOT-223封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和稳定性。
　　在可靠性方面，NVB6413ANT4G通过了严格的工业标准测试，确保其在恶劣环境条件下仍能正常工作。其最大集电极-发射极电压为30V，允许在较宽的电压范围内使用，适用于多种电源管理及信号处理应用。此外，该晶体管的最大功耗为300mW，能够在相对较高的功率水平下保持良好的热稳定性。NVB6413ANT4G的引脚排列设计也便于焊接和测试，适合自动化生产和维修操作。

应用

NVB6413ANT4G由于其高频特性和良好的增益性能，广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器、无线通信模块、音频前置放大器、电压调节电路以及各种开关控制电路中。在无线通信系统中，该晶体管常用于低噪声放大器（LNA）和驱动放大器的设计，以提升接收和发送信号的质量。在音频设备中，NVB6413ANT4G可用于前置放大和信号处理电路，确保高保真的音频输出。此外，它也适用于电源管理模块中的开关晶体管，实现高效的能量转换和控制。NVB6413ANT4G还常用于工业控制、消费类电子产品、汽车电子系统以及测试测量设备中，满足不同应用场景下的性能需求。