NVMFD5C470NT1G 时间：2025/7/29 18:18:18 阅读：4

NVMFD5C470NT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，有助于提高系统效率并减少散热设计的复杂性。NVMFD5C470NT1G采用1.2mm x 0.8mm的小型WDFN封装，适用于空间受限的设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.3A（在TC=25°C时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大值17mΩ（在VGS=4.5V时）
　　功率耗散(PD)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：WDFN-8

特性

NVMFD5C470NT1G 具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。
　　首先，该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，使其在低电压下仍能保持极低的RDS(on)，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，NVMFD5C470NT1G的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至20V，兼容多种驱动电路设计，适用于逻辑电平栅极驱动器和标准驱动器。
　　此外，该MOSFET具有良好的热性能，WDFN封装具备优异的散热能力，有助于在高电流条件下维持稳定的工作温度，减少热降额的影响。
　　其小型封装（1.2mm x 0.8mm）适用于便携式设备和高密度PCB布局，满足现代电子产品对空间和尺寸的严格要求。
　　同时，NVMFD5C470NT1G通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的功率管理应用，如车身控制模块、LED照明和电池管理系统。

应用

NVMFD5C470NT1G 广泛应用于多个领域。在消费电子领域，该器件可用于移动设备的电源管理、DC-DC转换器和负载开关，其低导通电阻和小型封装使其成为便携式设备的理想选择。
　　在汽车电子中，该MOSFET适用于车身控制模块、LED照明驱动电路以及车载充电系统，满足汽车环境对可靠性和温度耐受性的严苛要求。
　　工业控制方面，NVMFD5C470NT1G 可用于电机驱动、工业自动化设备中的电源开关和电池管理系统，其优异的导通性能和热稳定性有助于提升系统效率和可靠性。
　　此外，该器件还可用于通信设备、无人机电源系统以及智能家电中的功率调节模块。