时间：2025/9/7 8:12:46
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2SK1579DYTL 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，常用于高频电源转换和高效率功率控制应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻和高电流能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25℃时）
脉冲漏极电流(Ipulse)：240A
导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
极数：3（漏极、栅极、源极）
2SK1579DYTL 采用了东芝先进的沟槽栅极技术，这种设计有助于降低导通电阻，提高器件在高电流条件下的性能表现。该MOSFET的最大漏源电压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源应用。
其低导通电阻（Rds(on)）最大为4.5mΩ，显著减少了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件的连续漏极电流额定值为60A，在高电流负载条件下依然保持稳定的性能。
这款MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，具备良好的热管理和散热能力，适用于高功率密度的设计需求。TO-263封装还具有较低的热阻，有助于提高器件的可靠性。
2SK1579DYTL 的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，适用于多种驱动电路设计。此外，其工作温度范围广泛，从-55℃到+150℃，适用于各种严苛的工作环境。
该器件的高频响应特性使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用场景，能够在高开关频率下保持较低的开关损耗。
2SK1579DYTL 常见于需要高效率功率转换的应用中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制、负载开关以及高功率LED驱动器等。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计。此外，其良好的热管理和高频响应特性使其在高频电源转换应用中表现出色。
Si7462DP-T1-GE3, FDS6680, IRLB8721PbF, IRFZ44N
