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NVMD3P03R2G 发布时间 时间:2025/5/19 15:39:33 查看 阅读:49

NVMD3P03R2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 30V N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
  该芯片主要针对需要高效能和高可靠性的应用场景设计,其封装形式通常为 TO-252 (DPAK),有助于散热和简化电路设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

NVMD3P03R2G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 时仅为 45mΩ,从而降低了传导损耗,提升了系统效率。
  2. 快速的开关性能,适合高频应用环境。
  3. 小巧的封装尺寸,便于 PCB 布局并支持高密度设计。
  4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端条件下依然保持稳定运行。
  5. 高可靠性设计,满足多种严苛工业标准要求。
  6. 内置保护功能,如过流保护及热关断机制,提高了整体系统的安全性。

应用

NVMD3P03R2G 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流或负载切换。
  2. DC-DC 转换器中作为主开关元件。
  3. 电机驱动器中的功率级控制。
  4. 照明应用中的 LED 驱动控制。
  5. 各类电池管理系统中的充放电路径管理。
  6. 消费电子产品中的负载开关或保护电路。
  7. 工业自动化设备中的继电器替代方案。

替代型号

FDMQ8207
  IRLZ44N
  AO3400

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NVMD3P03R2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.34A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 3.05A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 24V
  • 功率 - 最大730mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)