NVMD3P03R2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 30V N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
该芯片主要针对需要高效能和高可靠性的应用场景设计,其封装形式通常为 TO-252 (DPAK),有助于散热和简化电路设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷:10nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装类型:TO-252 (DPAK)
NVMD3P03R2G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 时仅为 45mΩ,从而降低了传导损耗,提升了系统效率。
2. 快速的开关性能,适合高频应用环境。
3. 小巧的封装尺寸,便于 PCB 布局并支持高密度设计。
4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端条件下依然保持稳定运行。
5. 高可靠性设计,满足多种严苛工业标准要求。
6. 内置保护功能,如过流保护及热关断机制,提高了整体系统的安全性。
NVMD3P03R2G 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流或负载切换。
2. DC-DC 转换器中作为主开关元件。
3. 电机驱动器中的功率级控制。
4. 照明应用中的 LED 驱动控制。
5. 各类电池管理系统中的充放电路径管理。
6. 消费电子产品中的负载开关或保护电路。
7. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
FDMQ8207
IRLZ44N
AO3400