时间:2025/12/28 14:42:25
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KIC7W66FK-RTK是一款由KEC Corporation制造的功率晶体管(MOSFET),主要用于需要高效能和高稳定性的电路应用中。该器件采用了先进的硅栅极技术,具备低导通电阻、高电流容量和快速开关特性,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等高功率场景。KIC7W66FK-RTK的封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的热管理和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):6A
漏极-源极击穿电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.18Ω(最大)
功耗(PD):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
KIC7W66FK-RTK具有多项优良的电气和物理特性,能够满足高要求的电子应用需求。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有高电流容量,能够持续承受高达6A的漏极电流,适合高负载应用场景。KIC7W66FK-RTK还具备快速开关特性,确保在高频操作下保持稳定性能。
其高击穿电压(VDS)为60V,提供了良好的电压裕量,适用于多种电源管理方案。栅极-源极电压(VGS)支持±20V,增强了栅极控制的灵活性和稳定性。在热管理方面,TO-252(DPAK)封装形式不仅提供了良好的散热性能,还保证了器件在高温环境下的可靠运行。此外,KIC7W66FK-RTK的温度范围覆盖-55°C至150°C,适应了各种严苛的工作条件。
KIC7W66FK-RTK的应用领域非常广泛,主要集中在需要高效能功率管理的电子系统中。其典型应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。由于其高电流容量和低导通电阻,该器件非常适合用于便携式设备的电源优化设计,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。
在工业自动化领域,KIC7W66FK-RTK常用于电机驱动器、传感器接口电路和自动化控制系统,提供稳定的开关控制和高效的功率转换。同时,该器件还可用于汽车电子系统,例如车载充电器、LED照明系统和电池保护电路,满足汽车环境对可靠性和稳定性的严格要求。此外,KIC7W66FK-RTK也可应用于消费类电子产品,如智能家电、电动工具和无人机控制系统,提升设备的整体性能和能效。
Si7461DP-T1-GE3, FDS6675CZ, AO4406A