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NVGS3130NT1G 发布时间 时间:2025/5/31 1:35:27 查看 阅读:5

NVGS3130NT1G是安森美(onsemi)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合用于服务器、电信整流器、DC-DC转换器、开关电源以及同步整流等应用领域。
  该器件的工作电压范围较宽,能够承受高达60V的漏源极电压,同时具备较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:313A
  导通电阻(Rds(on)):0.45mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷:185nC
  输入电容:4740pF
  功耗:280W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

NVGS3130NT1G采用了先进的半导体制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流应用中减少功率损耗。
  2. 高效的热性能设计,适合高功率密度的应用场景。
  3. 短路耐受能力较强,提升了系统的可靠性和安全性。
  4. 小尺寸封装,便于PCB布局和优化散热设计。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 优异的开关性能,可支持高频开关应用。

应用

NVGS3130NT1G适用于多种工业和消费电子领域,具体包括:
  1. 服务器和通信设备中的高效电源管理。
  2. 数据中心使用的冗余电源模块。
  3. 高功率密度的DC-DC转换器。
  4. 开关模式电源(SMPS)设计。
  5. 同步整流电路。
  6. 电动工具及电机驱动控制。
  7. 工业自动化设备中的电源解决方案。

替代型号

NVDM3130T1G, IRFH7270TRPBF

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NVGS3130NT1G参数

  • 现有数量0现货12,000Factory
  • 价格3,000 : ¥3.99705卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)24 毫欧 @ 5.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)935 pF @ 16 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)600mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6