时间：2025/5/31 1:35:27
阅读：25
NVGS3130NT1G是安森美（onsemi）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装，具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于服务器、电信整流器、DC-DC转换器、开关电源以及同步整流等应用领域。
该器件的工作电压范围较宽，能够承受高达60V的漏源极电压，同时具备较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：313A
导通电阻（Rds(on)）：0.45mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷：185nC
输入电容：4740pF
功耗：280W
工作温度范围：-55℃至+175℃
NVGS3130NT1G采用了先进的半导体制造工艺，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高效的热性能设计，适合高功率密度的应用场景。
3. 短路耐受能力较强，提升了系统的可靠性和安全性。
4. 小尺寸封装，便于PCB布局和优化散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 优异的开关性能，可支持高频开关应用。
NVGS3130NT1G适用于多种工业和消费电子领域，具体包括：
1. 服务器和通信设备中的高效电源管理。
2. 数据中心使用的冗余电源模块。
3. 高功率密度的DC-DC转换器。
4. 开关模式电源（SMPS）设计。
5. 同步整流电路。
6. 电动工具及电机驱动控制。
7. 工业自动化设备中的电源解决方案。
NVDM3130T1G, IRFH7270TRPBF
