NVGS3130NT1G是安森美(onsemi)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合用于服务器、电信整流器、DC-DC转换器、开关电源以及同步整流等应用领域。
该器件的工作电压范围较宽,能够承受高达60V的漏源极电压,同时具备较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:313A
导通电阻(Rds(on)):0.45mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷:185nC
输入电容:4740pF
功耗:280W
工作温度范围:-55℃至+175℃
NVGS3130NT1G采用了先进的半导体制造工艺,具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高效的热性能设计,适合高功率密度的应用场景。
3. 短路耐受能力较强,提升了系统的可靠性和安全性。
4. 小尺寸封装,便于PCB布局和优化散热设计。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 优异的开关性能,可支持高频开关应用。
NVGS3130NT1G适用于多种工业和消费电子领域,具体包括:
1. 服务器和通信设备中的高效电源管理。
2. 数据中心使用的冗余电源模块。
3. 高功率密度的DC-DC转换器。
4. 开关模式电源(SMPS)设计。
5. 同步整流电路。
6. 电动工具及电机驱动控制。
7. 工业自动化设备中的电源解决方案。
NVDM3130T1G, IRFH7270TRPBF