NVF5P03T3G 时间：2025/5/10 10:03:25 阅读：8

NVF5P03T3G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装，广泛应用于电源管理、电机控制和负载切换等领域。
　　该 MOSFET 的额定电压为 60V，能够提供高达 89A 的连续漏极电流（在特定条件下）。得益于其优化的 Rds(on) 参数，NVF5P03T3G 可以显著降低传导损耗，提高系统效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：89A
　　最大栅极源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗：180W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

NVF5P03T3G 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提升效率。
　　2. 高雪崩能量能力，确保在过载或异常情况下仍能可靠运行。
　　3. 快速开关性能，适合高频应用。
　　4. 热稳定性好，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
　　6. 表面贴装封装，便于自动化生产和装配。
　　这些特性使得 NVF5P03T3G 成为高性能 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动以及负载开关的理想选择。

应用

NVF5P03T3G 广泛应用于以下领域：
　　1. 工业设备中的开关电源和功率调节系统。
　　2. 通信基础设施中的高效功率转换模块。
　　3. 消费电子产品的适配器和充电器。
　　4. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统和电机控制器。
　　5. 家用电器中的功率控制单元。
　　由于其出色的电气特性和热性能，NVF5P03T3G 能够满足各种严苛环境下的应用需求。