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NVD6824NLT4G 发布时间 时间:2025/6/18 12:25:40 查看 阅读:4

NVD6824NLT4G 是一款由 NVIDIA 生产的高性能显存芯片,主要应用于图形处理单元(GPU)中。该芯片采用 GDDR6 显存技术,具备高带宽和低功耗的特点,能够显著提升 GPU 的性能表现。其广泛应用于高端显卡、工作站和服务器等需要强大计算能力的设备中。
  这款显存芯片设计用于满足现代游戏、虚拟现实、人工智能训练和科学计算等对数据吞吐量要求极高的应用场景。

参数

容量:4GB
  类型:GDDR6
  位宽:256-bit
  频率:14000 MHz
  带宽:448 GB/s
  封装:FBGA
  工作电压:1.35V

特性

NVD6824NLT4G 芯片具有以下特点:
  1. 高速传输:通过 GDDR6 技术,提供了高达 14GHz 的运行频率,确保了快速的数据交换速度。
  2. 大容量存储:4GB 的存储空间使其适用于需要大量临时存储的应用场景。
  3. 低功耗设计:相比前代显存,该芯片优化了能耗表现,适合长时间运行的任务。
  4. 稳定性强:支持 ECC 错误校验功能(视具体应用配置而定),保证数据完整性。
  5. 广泛兼容:与多种 NVIDIA GPU 架构兼容,包括 Turing 和 Ampere 系列。

应用

NVD6824NLT4G 主要应用于以下领域:
  1. 游戏显卡:为高端桌面显卡提供强劲的显存支持,满足 4K 分辨率和高刷新率的游戏需求。
  2. 工作站:在专业图形设计、视频编辑和 CAD 应用中,确保流畅的工作流程。
  3. 数据中心:用于深度学习模型训练和推理任务,支持大规模并行计算。
  4. 医疗成像:处理复杂的医学图像分析任务,例如 MRI 和 CT 扫描数据。

替代型号

NVD6824NLT8G

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NVD6824NLT4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.5A(Ta),41A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)66 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3468 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.9W(Ta),90W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63