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NVD5863NLT4G 发布时间 时间:2025/6/5 21:58:18 查看 阅读:9

NVD5863NLT4G 是一款由知名厂商生产的高性能、低功耗的 DDR4 内存颗粒芯片,广泛应用于计算机、服务器以及嵌入式系统中。该芯片具有高带宽和低延迟的特点,支持多种数据传输速率,满足现代计算设备对内存性能的需求。
  DDR4 技术相比前代 DDR3 提供了更高的频率范围和更低的工作电压,从而实现更高效的能耗管理。

参数

类型:DRAM
  封装形式:BGA
  容量:4Gb (512MBx8)
  工作电压:1.2V
  数据速率:2133MT/s 至 3200MT/s
  I/O 宽度:x8
  配置:512M x 8
  温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装尺寸:7.5mm x 11mm

特性

NVD5863NLT4G 芯片采用了先进的制程工艺,确保了其在高频工作状态下的稳定性和可靠性。它支持 ECC(纠错码)功能,能够有效降低数据传输错误的概率,这对于关键任务应用尤为重要。
  此外,该芯片具备出色的热管理能力,能够在长时间运行下保持较低的工作温度。同时,它的低功耗设计也使得其非常适合便携式设备和对能效要求较高的场景。
  另外,该芯片还支持突发长度为 8 或 16 的操作模式,进一步提升了数据读写效率,并且兼容多种主流控制器平台。

应用

NVD5863NLT4G 主要应用于需要大容量、高速度内存支持的场合,例如台式电脑、笔记本电脑、工作站、数据中心服务器以及网络通信设备等。
  此外,由于其低功耗和高可靠性的特点,该芯片也被广泛用于工业控制、医疗设备、汽车电子等领域中的嵌入式系统。这些领域通常对内存的稳定性和耐久性有较高要求,而 NVD5863NLT4G 恰好可以满足这些需求。

替代型号

NVD5863NLK4G
  NVD5863NLT8G
  IS42S32800F-1250KLL

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NVD5863NLT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.1 毫欧 @ 41A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3850pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)