NVD4C05NT4G 时间：2025/5/9 12:22:38 阅读：3

NVD4C05NT4G 是一款由知名半导体厂商生产的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计优化了导通电阻和开关速度，适合高频和高效能应用。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻：4.5mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关时间：ton=16ns, toff=17ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃

特性

NVD4C05NT4G 具有较低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低功率损耗，提高系统效率。同时，其快速的开关性能使其非常适合高频应用。此外，该器件采用先进的封装技术，提供卓越的热性能和电气性能。它还具有强大的雪崩能力和 ESD 保护功能，从而增强了产品的可靠性。
　　主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻确保高效率。
　　2. 快速开关能力支持高频操作。
　　3. 耐热增强型封装提升散热性能。
　　4. 高度可靠的雪崩能量额定值。
　　5. 宽泛的工作温度范围适应多种环境条件。

应用

NVD4C05NT4G 主要用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器中的高频开关。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 电池保护电路以及逆变器系统。
　　其出色的性能和可靠性使其成为需要高效率和快速响应的应用的理想选择。