NVBF170LT1G 时间：2025/6/10 15:47:52 阅读：6

NVBF170LT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，适用于高频和高效率的电力电子应用。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，可显著提高系统的功率密度和效率。
　　这款晶体管专为硬开关和软开关拓扑设计，能够满足现代电源系统对高性能和紧凑尺寸的需求。其封装形式为 LFPAK8 封装，有助于降低寄生电感并提升散热性能。

参数

型号：NVBF170LT1G
　　类型：增强型 E 模式 GaN 功率晶体管
　　Vds（漏源极电压）：650V
　　Rds(on)（导通电阻）：170mΩ
　　Id（连续漏极电流）：12A
　　栅极电荷（Qg）：43nC
　　输入电容（Ciss）：2450pF
　　输出电容（Coss）：98pF
　　反向传输电容（Crss）：16pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：LFPAK8

特性

1. 基于氮化镓 (GaN) 材料，提供更高的开关频率和更低的导通损耗。
　　2. 具有低 Rds(on)，能够在高负载条件下维持高效的能量转换。
　　3. 高 Vds 支持宽范围输入电压的应用场景，例如 400V 和 600V 系统。
　　4. 快速开关能力减少开关损耗，提升整体效率。
　　5. LFPAK8 封装优化了热性能和电气性能，适合表面贴装技术 (SMT) 生产。
　　6. 适用于各种硬开关和软开关拓扑，包括 Buck、Boost、LLC 谐振变换器等。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级元件。
　　2. 服务器和通信设备中的高效 DC-DC 转换器。
　　3. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
　　4. 快速充电适配器和消费类电子产品中的功率模块。
　　5. 工业驱动和电机控制中的高频开关元件。
　　6. 电动车充电站和车载充电器中的功率转换电路。