NV1808B222K202CEKN 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。其封装形式为TO-252(DPAK),能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
作为一款N沟道增强型MOSFET,NV1808B222K202CEKN在高频应用中表现出色,并且能够在高温环境下保持稳定的工作状态。它适用于需要高效能和可靠性的电路设计场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:14A
导通电阻:2.2mΩ
栅极电荷:38nC
开关时间:典型值ton=11ns,toff=9ns
结温范围:-55℃至175℃
NV1808B222K202CEKN 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小型化的TO-252封装,便于PCB布局并节省空间。
5. 宽泛的工作温度范围,支持在极端环境下的稳定运行。
6. 热性能优异,能够有效降低热阻以提升散热能力。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. DC-DC转换器
4. 汽车电子系统中的负载切换
5. 工业自动化设备中的功率管理
6. 电池保护和管理系统
7. LED照明驱动电路
由于其高效的特性和宽泛的应用范围,NV1808B222K202CEKN 成为了众多工程师在设计高效率功率转换电路时的理想选择。
IRFZ44N
FDP18N06L
STP14NF06L