时间：2025/6/21 21:09:36
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NV1210B223K102CEGN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于需要高效功率转换的场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。
这款 MOSFET 在设计上优化了动态性能和静态功耗之间的平衡，使其成为消费电子、工业设备及通信电源的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：89A
导通电阻：2.3mΩ
栅极电荷：76nC
总电容：250pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
NV1210B223K102CEGN 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（2.3mΩ），在高电流应用中减少功耗并提升效率。
2. 高电流承载能力（89A），适合大功率系统。
3. 快速开关性能，有效降低开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 封装为 TO-247-3，便于散热与安装。
这些特性使得 NV1210B223K102CEGN 成为高性能功率管理应用中的关键组件。
NV1210B223K102CEGN 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
5. 大功率 LED 驱动器。
6. 通信基站的功率模块。
由于其卓越的性能和可靠性，该器件在多种功率转换和控制场景中表现优异。
IRFP2907, FDP076N04L, STP100NF04L
