CDR34BP752AJZRAT是一款高性能的双极性晶体管,专为高频和高功率应用而设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有优异的电气性能和稳定性,广泛应用于射频放大器、无线通信设备以及工业控制领域。
其封装形式为TO-263,具备良好的散热性能和机械强度,能够适应各种严苛的工作环境。
最大集电极电流:2A
最大集电极-发射极电压:75V
最大集电极功耗:30W
特征频率(fT):10GHz
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:TO-263
CDR34BP752AJZRAT具有以下主要特性:
1. 高增益带宽积:适用于高频放大和信号处理场景。
2. 低噪声系数:确保在射频和微波频段内实现更清晰的信号传输。
3. 良好的热稳定性:即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
4. 高可靠性:经过严格的测试与筛选,能够在长时间运行中保持一致性。
5. 紧凑型封装:有助于简化电路板布局并降低整体系统成本。
该晶体管适合用于多种电子设备中,包括但不限于:
1. 射频功率放大器:
- 在基站和卫星通信系统中提供高效的功率输出。
2. 工业控制:
- 实现对电机驱动器和其他复杂系统的精确控制。
3. 医疗仪器:
- 用于超声波设备和MRI扫描仪等高精度医疗诊断工具。
4. 汽车电子:
- 支持车载雷达和通信模块的功能需求。
CDR34BP752AJZRACT, CDR34BP752AJZRACT